据《韩国经济新闻》6月8日报道，韩国科学技术院KAIST电气及电子工学部崔信贤教授研究组7日表示,以大容量阵列(array)的形式开发出了稳定性和集成度高的新一代神经形态元件"记忆电阻器(memristor)"

        记忆电阻器是指像神经元一样随着信号输入而改变电阻状态的元件。记忆电阻器作为能够实现与人类解决问题能力相似的大容量人工智能(AI)电脑的新一代元件而备受瞩目。

        崔信贤研究组自行开发出了基于氧气离子的渐进移动的记忆电阻器，而通常记忆电阻器都是使用细电阻丝实现电阻变化。另外,研究组还获得了使用单位元件制作阵列排序的技术,一次性集成了400个记忆电阻器。

        研究组相关人士表示，该技术是高效率处理语音识别、心电图测定等时序数据的大规模神经形态AI系统的底层技术。