据《韩国经济新闻》6月9日报道，SK海力士6月9日表示,该公司将开始批量生产新一代DRAM HBM3,向美国半导体企业英伟达公司供货。去年10月末SK海力士在世界上首次开发出HBM3，仅过了7个月便实现了量产。

        HBM是高带宽存储器(high bandwidth memory)的缩写,是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存。HBM的数据处理速度比DRAM大幅提高。HBM3是第四代高带宽存储器产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。HBM3每秒可处理819GB的数据，这个速度相当于每秒传送163部全高清电影。

        引领人工智能(AI)半导体市场的英伟达公司最近完成了SK海力士HBM3样品的性能评估,计划在今年第三季度上市的新产品H100上使用HBM3。 SK海力士决定根据英伟达公司的日程增加HBM3的产量。