据韩联社7月25日报道，三星电子25日在京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（Gate AllAroundT，简称GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。

        韩国产业通商资源部长官李昌洋、三星电子DS本部长庆桂显以及员工和合作商有关人士共100多人出席活动。三星电子上月底宣布全球首款基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品投入量产。3纳米工艺是半导体制作工程中最为尖端的制程技术，三星电子赶超台积电和英特尔等竞争商，率先推出该技术。与此前使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的芯片相比，新产品采用芯片面积更小、电耗减少、性能提升的GAA技术，在技术层面意义重大。

        三星电子自2000年代初期启动GAA技术研究，2017年将其用于3纳米制程，近期投入量产。三星电子晶圆代工事业部当天表示，将以创新技术迈向全球最高顶点。李昌洋在致辞中感谢三星电子干部员工和为技术研发付出努力的半导体行业人员，并强调需凝聚行业力量力保3纳米工程的高良品率。他还承诺，以日前韩国政府公布的半导体强国发展战略为基础，政府将在构建半导体生态系统方面提供全方位支持。

        三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。